产品介绍

龙腾开发的平面栅碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)产品,采用小元胞设计、香港内部正版资料免费资料香港内部正版资料免费资料香港内部正版资料免费资料香港内部正版资料免费资料

JFET注入设计、领先的衬底减薄技术及优异的终端场限环结构,使得导通电阻、泄漏电

流和击穿电压等性能良好折衷,并且展现出较快的开关速度和良好的抗雪崩能力。


香港内部正版资料免费资料 产品特点

· 击穿电压高
     · 比导通电阻低
     · 开关损耗低
     · 最大工作结温175℃



Part Number VDS(V) ID (A) RDS(ON)(mΩ)
(Tj=25℃)
RDS(ON)(mΩ)
(Tj=175℃)
Vth(V) Qg(nC) Coss(pF) PD (W)
25℃
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