产品介绍

香港内部正版资料免费资料龙腾超结MOSFET系列产品,采用深沟槽技术与多次外延技术制造,具有较低的导通电阻和栅极电荷,明显降低导通和开关损耗,特别适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。


香港内部正版资料免费资料 产品特点

· 导通损耗低
     · 开关损耗低
     · 功率密度高
     · 产品谱系全



Part
Number
VDS(V) ID (A)
25℃
RDS(ON) (mΩ)
(VGS=10V)
Qg(nC)
(VGS=10V)
VGS(V) VGS(th)
(V)
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